本文標題："通常環(huán)境下生產(chǎn)線上產(chǎn)品如何測試失效率"

發(fā)布者：YIYI ------ 分類: 站內(nèi)動態(tài) ------ 人瀏覽過 -----時間：2015-10-2 18:19:16

通常環(huán)境下生產(chǎn)線上產(chǎn)品如何測試失效率

   當結(jié)溫為150度(額定條件的極大值)，在通常環(huán)境下的小規(guī)模
試驗生產(chǎn)線上產(chǎn)品的預側(cè)失效率為每1000小時0.03%，在含塵量低
的環(huán)境中生產(chǎn)的產(chǎn)品每1000小時預測失效率為0.001%，而且在含塵
量低的環(huán)境中生產(chǎn)的產(chǎn)品，能通過初測的也較多。
    與產(chǎn)品設計之間的關系
    許多情況下，可以通過修改產(chǎn)品設計來避免污染的影響。硅
平面型晶體管由于表面反型層而產(chǎn)生漏電流過多這一情況，可以
清楚地說明產(chǎn)品設計、電氣性能和它對污染敏感度之間的一定關
系。
    圖2-11為器件的幾何圖形。器件由于從基極一集電極結(jié)到片
子的邊緣存在反型層而產(chǎn)生過大的集電極電流，這個效應稱為溝
道效應。它的集電極電壓一電流特性表示在圖2-1h中。電流可以
從基極區(qū)沿著反型層在片子邊緣流進襯底硅。片子的邊緣是一個
缺陷密度很高的位置，那里很容易發(fā)生由反型層到集電極區(qū)域之
間的擊穿。如果附加一個高摻雜擴散的防護環(huán)或“溝道塞”如圖
2-11所示，就能使這些反型層無害，這些防護環(huán)在npn和pnp兩
種晶體管中都能起作用。
 

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